SVF6N70F Todos los transistores

 

SVF6N70F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF6N70F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21.94 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36.93 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF6N70F Datasheet (PDF)

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SVF6N70F

SVF6N70F 6A700V N 2SVF6N70F N MOS F-CellTM VDMOS 13

 7.1. Size:444K  silan
 svf6n70mjg svf6n70dtr svf6n70k svf6n70mn.pdf pdf_icon

SVF6N70F

SVF6N70MJG/D/K/N 6A700V N 2SVF6N70MJG/D/K/N N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1.

 9.1. Size:452K  silan
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SVF6N70F

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3

 9.2. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N70F

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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History: WMK20N50D1 | IRF3704Z

 

 
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