SVF7N65CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF7N65CS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 21.2 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 98 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF7N65CS
SVF7N65CS Datasheet (PDF)
..1. Size:626K silan
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65cs svf7n65cfq.pdf
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65cs svf7n65cfq.pdf
SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ 7A650V N SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ N MOS F-CellTM VDMOS
6.2. Size:641K silan
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf
SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A650V N 2SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 TO-262-3L3
6.3. Size:527K silan
svf7n65cf svf7n65cdtr svf7n65cmj svf7n65cmjl svf7n65ck svf7n65ct.pdf
svf7n65cf svf7n65cdtr svf7n65cmj svf7n65cmjl svf7n65ck svf7n65ct.pdf
SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T 7A650V N 2 1SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T N MOS 231 F-CellTM VDMOS TO-262-3L3 12
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