SVF7N80F Todos los transistores

 

SVF7N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF7N80F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71.67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SVF7N80F Datasheet (PDF)

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 svf7n80t svf7n80f svf7n80kl svf7n80k svf7n80fd.pdf pdf_icon

SVF7N80F

SVF7N80T/F/KL/K/FD 7A800V N 2SVF7N80T/F/KL/K/FD N MOS F-CellTM VDMOS 11 233TO-220F-3L

 ..2. Size:520K  silan
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SVF7N80F

SVF7N80T/F 7A800V N 2SVF7N80T/F NMOSF-CellTMVDMOS 1 3 AC-DC

 9.1. Size:407K  silan
 svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf pdf_icon

SVF7N80F

SVF7N65T/F/S 7A650V N 2 SVF7N65T/F/S N MOS 1 F-CellTM VDMOS 31. 2. 3.

 9.2. Size:512K  silan
 svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf pdf_icon

SVF7N80F

SVF7N60F/S/D 7A600V N SVF7N60F/S/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

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History: 2SK2398 | AOW296 | BL9N90-F | 2SK3149 | G4N65 | UF830L-TQ2-T | HGB040N06SL

 

 
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