SVF7N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF7N80F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71.67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVF7N80F datasheet
svf7n80t svf7n80f.pdf
SVF7N80T/F 7A 800V N 2 SVF7N80T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 AC-DC
Otros transistores... SVF7N65CD , SVF7N65CMJ , SVF7N65CK , SVF7N65CS , SVF7N65CFQ , SVF7N65CT , SVF7N65S , SVF7N80T , IRFB4227 , SVF840F , SVF840D , SVF840S , SVF840MJ , SVF8N60T , SVF8N60F , SVF8N65T , SVF8N65F .
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