SVF8N60F Todos los transistores

 

SVF8N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF8N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SVF8N60F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SVF8N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N60F

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 ..2. Size:336K  silan
 svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N60F

SVF8N60F 8A600V N 2SVF8N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8N60F

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 8.2. Size:429K  silan
 svf8n65t svf8n65f.pdf pdf_icon

SVF8N60F

SVF8N65T/F 8A650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SVF7N65S , SVF7N80T , SVF7N80F , SVF840F , SVF840D , SVF840S , SVF840MJ , SVF8N60T , IRFB4115 , SVF8N65T , SVF8N65F , SVS11N65FJD2 , SVS20N60FJD2 , SVS20N60KD2 , SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 .

History: TK16V60W | FDZ293P | HM25N08D | HSU0018A | RJK1001DPP-E0 | AP9997GK-HF | IXTC180N085T

 

 
Back to Top

 


 
.