SVF8N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF8N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVF8N60F datasheet
svf8n60t svf8n60f.pdf
SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf
SVF8N65RD(MJ) 8A 650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1
svf8n65t svf8n65f.pdf
SVF8N65T/F 8A 650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D
Otros transistores... SVF7N65S , SVF7N80T , SVF7N80F , SVF840F , SVF840D , SVF840S , SVF840MJ , SVF8N60T , P55NF06 , SVF8N65T , SVF8N65F , SVS11N65FJD2 , SVS20N60FJD2 , SVS20N60KD2 , SVS20N60TD2 , SVS20N60PND2 , SVS20N60SD2 .
History: PSMN8R5-108ES | AP2N7002 | 2SK3309
History: PSMN8R5-108ES | AP2N7002 | 2SK3309
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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