SVS20N60TD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS20N60TD2
Código: 20N60TD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS20N60TD2
SVS20N60TD2 Datasheet (PDF)
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2 svs20n60fd2.pdf
SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 20A, 600V MOS 2 12 1SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N 2331 TO-220F-3LTO-262-3LMOSFET MOS 31
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2.pdf
SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A, 600V DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N MOSFET DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 /
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918