SVS20N60SD2TR Todos los transistores

 

SVS20N60SD2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS20N60SD2TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVS20N60SD2TR Datasheet (PDF)

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SVS20N60SD2TR

SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 20A, 600V MOS 2 12 1SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N 2331 TO-220F-3LTO-262-3LMOSFET MOS 31

 ..2. Size:460K  silan
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SVS20N60SD2TR

SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A, 600V DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N MOSFET DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 /

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