SVS20N60P7D2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS20N60P7D2
Código: 20N60P7D2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 39 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 67 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS20N60P7D2
SVS20N60P7D2 Datasheet (PDF)
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SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A, 600V DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N MOSFET DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 /
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