STD12N05L Todos los transistores

 

STD12N05L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD12N05L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD12N05L Datasheet (PDF)

 0.1. Size:170K  1
 std12n05l-1 std12n05lt4 std12n06l-1 std12n06lt4.pdf pdf_icon

STD12N05L

STD12N05LSTD12N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05L 50 V

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 std12n05-1 std12n05t4 std12n06-1 std12n06t4.pdf pdf_icon

STD12N05L

STD12N05STD12N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05 50 V

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STD12N05L

STD12N05STD12N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05 50 V

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History: RTR020N05 | 2P771A91 | FDS6892A | CEH2305 | NTLJS4159NT1G | CS1010EA8 | WFW40N25W

 

 
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