STD12N05L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD12N05L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD12N05L
STD12N05L Datasheet (PDF)
std12n05l-1 std12n05lt4 std12n06l-1 std12n06lt4.pdf
STD12N05LSTD12N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05L 50 V
std12n05-1 std12n05t4 std12n06-1 std12n06t4.pdf
STD12N05STD12N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05 50 V
std12n05.pdf
STD12N05STD12N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD12N05 50 V
Otros transistores... SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 , STD10N10L-1 , STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N05-1 , P0903BDG , STD12N05L-1 , STD12N05LT4 , STD12N05T4 , STD12N06 , STD12N06-1 , STD12N06L , STD12N06L-1 , STD12N06LT4 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918