IXFA80N25X3 Todos los transistores

 

IXFA80N25X3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA80N25X3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO263

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IXFA80N25X3 datasheet

 ..1. Size:245K  ixys
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IXFA80N25X3

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA80N25X3 Power MOSFET ID25 = 80A IXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3 TO-263 AA (IXFA) IXFH80N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G S Fast Intrinsic Diode D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab) V TO-3P (IXFQ) VDGR

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IXFA80N25X3

PreliminaryTechnical Information X-Class HiPERFET VDSS = 850V IXFA8N85XHV Power MOSFET ID25 = 8A IXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85X N-Channel Enhancement Mode TO-263HV (IXFA) G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Continuous

 9.2. Size:160K  ixys
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IXFA80N25X3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA8N50P3 Power MOSFETs ID25 = 8A IXFP8N50P3 RDS(on) 800m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

Otros transistores... SVS20N60P7D2 , SVT044R5NT , SVT044R5ND , SVT044R5NL5 , SVT088R0NT , SVT13N06SA , IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , SKD502T , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 .

 

 

 

 

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