IXFH40N85X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFH40N85X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 860 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 850 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3690 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXFH40N85X MOSFET
IXFH40N85X Datasheet (PDF)
ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFT40N85XHVPower MOSFET ID25 = 40AIXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXFT)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-
ixfh35n30 ixfh40n30 ixfm35n30 ixfm40n30.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 35 N30 300 V 35 A 100 mWPower MOSFETsIXFH 40 N30 300 V 40 A 85 mWIXFM 40 N30 300 V 40 A 88 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Trans
ixfh40n30q ixft40n30q.pdf

IXFH 40N30QHiPerFETTMVDSS = 300 VIXFT 40N30QPower MOSFETs ID25 = 40 AQ-Class RDS(on) = 80 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetTO-268 (IXFT) Case StyleSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 VVGS Continuous 20 VG(TAB)VGSM Transie
ixfh40n50q ixft40n50q.pdf

Advanced Technical InformationIXFH 40N50Q VDSS = 500 VHiPerFETTMIXFT 40N50Q ID25 = 40 APower MOSFETsRDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500
Otros transistores... SVT044R5ND , SVT044R5NL5 , SVT088R0NT , SVT13N06SA , IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , TK10A60D , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 .
History: OSG60R074FSZF | QM0004D | FHD15N10A | AFN6561 | APT48M80B2 | IRFS510A | SSF2314
History: OSG60R074FSZF | QM0004D | FHD15N10A | AFN6561 | APT48M80B2 | IRFS510A | SSF2314



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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