IXFP90N20X3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFP90N20X3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 390 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 78 nC
   Tiempo de subida (tr): 26 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 930 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0128 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

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IXFP90N20X3 Datasheet (PDF)

..1. Size:191K ixys
ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP90N20X3Power MOSFET ID25 = 90AIXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220AB (IXFP)GDD (Tab)STO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VDSVGSS Continuous

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STB18NF30

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: