IXFQ80N25X3 Todos los transistores

 

IXFQ80N25X3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFQ80N25X3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO3P

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IXFQ80N25X3 datasheet

 ..1. Size:245K  ixys
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IXFQ80N25X3

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA80N25X3 Power MOSFET ID25 = 80A IXFP80N25X3 RDS(on) 16m IXFQ80N25X3 TO-263 AA (IXFA) IXFH80N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G S Fast Intrinsic Diode D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C250D S D (Tab) V TO-3P (IXFQ) VDGR

 9.1. Size:368K  ixys
 ixfa8n85xhv ixfp8n85x ixfq8n85x.pdf pdf_icon

IXFQ80N25X3

PreliminaryTechnical Information X-Class HiPERFET VDSS = 850V IXFA8N85XHV Power MOSFET ID25 = 8A IXFP8N85X RDS(on) 850m IXFQ8N85X N-Channel Enhancement Mode TO-263HV (IXFA) G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V VGSS Continuous

 9.2. Size:257K  inchange semiconductor
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IXFQ80N25X3

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFQ8N85X FEATURES With TO-3P packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-So

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History: FIR4N65AFG | 4N65KL-TF3-T | IRF7313PBF-1 | HM4402E | MMN400A006U1 | IRF720SPBF | 2SK3111

 

 

 

 

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