IXFT40N85XHV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFT40N85XHV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 860 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 850 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3690 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
Encapsulados: TO268HV
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IXFT40N85XHV datasheet
ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf
Advance Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT40N85XHV Power MOSFET ID25 = 40A IXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268HV (IXFT) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-
ixft40n50q.pdf
Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500
ixfh40n30q ixft40n30q.pdf
IXFH 40N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFT 40N30Q Power MOSFETs ID25 = 40 A Q-Class RDS(on) = 80 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet TO-268 (IXFT) Case Style Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuous 20 V G (TAB) VGSM Transie
ixfh40n50q ixft40n50q.pdf
Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500
Otros transistores... IXFK80N65X2 , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IRFP450 , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , AUIRLS8409-7P , BF2040 .
History: SWF10N60D | S2N7002K | NCE60R360F | SGM3055 | HCFL65R380 | RF4E110GN
History: SWF10N60D | S2N7002K | NCE60R360F | SGM3055 | HCFL65R380 | RF4E110GN
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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