BSC070N10NS5SC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC070N10NS5SC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: WSON-8-2
Búsqueda de reemplazo de BSC070N10NS5SC MOSFET
BSC070N10NS5SC Datasheet (PDF)
bsc070n10ns5sc.pdf

BSC070N10NS5SCMOSFETPG-WSON-8-2OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VFeatures Double sided cooled package-with lowest Junction-top thermal resistancetab 175C rated Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.56 100% avalanche tested78 Superior thermal resistance43 N-channel21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fr
bsc070n10ns5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal
bsc070n10ns3g.pdf

BSC070N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V Very low gate charge for high frequency applicationsRDS(on),max 7mW Optimized for dc-dc conversionID 90 A N-channel, normal levelPG-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature Pb-free lead plating;
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History: RU1C002ZP | SFF24N50 | MSD2N60 | STN1NK80Z | ELM16400EA | IXTH240N055T | IRFS832
History: RU1C002ZP | SFF24N50 | MSD2N60 | STN1NK80Z | ELM16400EA | IXTH240N055T | IRFS832



Liste
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