BSC155N06ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC155N06ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
Encapsulados: TDSON-8-4
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BSC155N06ND datasheet
bsc155n06nd.pdf
BSC155N06ND MOSFET PG-TDSON-8-4 OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 60 V 8 1 7 Features 2 6 3 5 4 Dual N-channel,Normal Level Fast switching MOSFETs 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 1 8 2 7 100% Avalanche tested 3 6 5 4 Optimized technology for drives applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Superior thermal resis
bsc150n03ld.pdf
BSC150N03LD G OptiMOS 3 Power-Transistors Product Summary Features V 30 V DS Dual N-channel, logic level R 15 m DS(on),max Fast switching MOSFETs for SMPS I 20 A D PG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on
bsc150n03ldg.pdf
BSC150N03LD G OptiMOS 3 Power-Transistors Product Summary Features V 30 V DS Dual N-channel, logic level R 15 m DS(on),max Fast switching MOSFETs for SMPS I 20 A D PG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on
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History: 2SK1941 | MTP2955
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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