BSZ039N06NS Todos los transistores

 

BSZ039N06NS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSZ039N06NS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TSDSON-8

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BSZ039N06NS datasheet

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BSZ039N06NS

BSZ039N06NS MOSFET TSDSON-8 FL OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V (enlarged source interconnection) Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Higher solder joint reliability due to enlarged source interc

 9.1. Size:595K  infineon
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BSZ039N06NS

For BSZ036NE2LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA) RDS(on),max VGS=10 V 3.6 mW Very Low FOMQOSS for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 5.1 Low FOMSW for High Frequency SMPS ID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS PG-TS

 9.2. Size:1615K  infineon
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BSZ039N06NS

 9.3. Size:560K  infineon
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BSZ039N06NS

BSZ035N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 3.5 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 4.3 100% avalanche tested ID 40 A PG-TSDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FO

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