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IAUC120N04S6L008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUC120N04S6L008
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8
 

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IAUC120N04S6L008 Datasheet (PDF)

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IAUC120N04S6L008

IAUC120N04S6L008OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 0.8mID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche test

 0.2. Size:668K  infineon
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IAUC120N04S6L008

IAUC120N04S6L012OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.2mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 0.3. Size:668K  infineon
 iauc120n04s6l009.pdf pdf_icon

IAUC120N04S6L008

IAUC120N04S6L009OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 0.9mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

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