IAUC120N04S6L008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUC120N04S6L008
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON-8
Búsqueda de reemplazo de IAUC120N04S6L008 MOSFET
IAUC120N04S6L008 Datasheet (PDF)
iauc120n04s6l008.pdf

IAUC120N04S6L008OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 0.8mID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche test
iauc120n04s6l012.pdf

IAUC120N04S6L012OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.2mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
iauc120n04s6l009.pdf

IAUC120N04S6L009OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 0.9mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
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History: NCEP016N60VD
History: NCEP016N60VD



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