IAUC120N04S6N009 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUC120N04S6N009
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON-8
- Selección de transistores por parámetros
IAUC120N04S6N009 Datasheet (PDF)
iauc120n04s6n010.pdf

IAUC120N04S6N010OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.0mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste
iauc120n04s6n009.pdf

IAUC120N04S6N009OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 0.9mID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tes
iauc120n04s6n013.pdf

IAUC120N04S6N013OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.3mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316
History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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