IAUC120N04S6N009 Todos los transistores

 

IAUC120N04S6N009 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUC120N04S6N009
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8
 

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IAUC120N04S6N009 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:668K  infineon
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IAUC120N04S6N009

IAUC120N04S6N010OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.0mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 0.2. Size:240K  infineon
 iauc120n04s6n009.pdf pdf_icon

IAUC120N04S6N009

IAUC120N04S6N009OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 0.9mID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tes

 0.3. Size:668K  infineon
 iauc120n04s6n013.pdf pdf_icon

IAUC120N04S6N009

IAUC120N04S6N013OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.3mWID 120 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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