IPA060N06NM5S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA060N06NM5S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA060N06NM5S datasheet
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IPA060N06NM5S MOSFET PG-TO 220 FP OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 60 V Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Qualified
ipa060n06n.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V IPA060N06N Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V IPA060N06N TO-220-FP 1 Description Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel
ipa060n06n.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA060N06N FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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