IPB110P06LM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPB110P06LM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO263

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IPB110P06LM datasheet

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IPB110P06LM

IPB110P06LM MOSFET D PAK OptiMOSTM Power Transistor, -60 V Features tab P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 Halogen-free according to IEC61249-2-21 3 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Drain t

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IPB110P06LM

IPB110N20N3LF MOSFET D PAK OptiMOSTM 3 Linear FET, 200 V Features Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance R DS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain

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IPB110P06LM

IPB110N06L G IPP110N06L G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 60 V DS For fast switching converters and sync. rectification R 11 m DS(on),max SMD version N-channel enhancement - logic level I 78 A D 175 C operating temperature Avalanche rated Pb-free lead plating, RoHS compliant Type IPB110N06L G IPP110N06L G Type Package Marking IPB1

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