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AUIRF7769L2TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRF7769L2TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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AUIRF7769L2TR datasheet

 ..1. Size:448K  infineon
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AUIRF7769L2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7769L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 2.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 124A Low Parasitic Parameters Qg (typ

 3.1. Size:270K  international rectifier
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AUIRF7769L2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7769L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET V(BR)DSS Advanced Process Technology 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 2.8m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 3.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 124A Low Parasitic Parameters Qg 200nC Dual Sid

 7.1. Size:502K  international rectifier
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AUIRF7769L2TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7749L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 60V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.1m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 1.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 345A Low Parasitic Parame

 7.2. Size:263K  international rectifier
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AUIRF7769L2TR

PD - 96421 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7799L2TR AUIRF7799L2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 250V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 32m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 38m High Power Density ID (Silicon Limited) 35A Low Parasitic Parameters

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History: 4N65KG-TN3-R | BSZ15DC02KDH | BSZ068N06NS | BSC079N03LSCG | AOW12N60 | BSC220N20NSFD

 

 

 

 

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