BSC079N03LSCG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC079N03LSCG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
Encapsulados: TDSON-8
Búsqueda de reemplazo de BSC079N03LSCG MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BSC079N03LSCG datasheet
bsc079n03lscg.pdf
BSC079N03LSC G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Improved switching behaviour PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very l
bsc079n03s.pdf
BSC079N03S G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.9 m DS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level P-TDSON-8 P-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resi
bsc079n03sg.pdf
BSC079N03S G Product Summary OptiMOS 2 Power-Transistor Features V 30 V DS R 7.9 Fast switching MOSFET for SMPS m DS(on),max I 40 A Optimized technology for notebook DC/DC converters D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)
Otros transistores... AUIRF8736M2TR , AUIRF8739L2TR , AUIRFSA8409-7P , BF999 , BSC012N06NS , BSC025N08LS5 , BSC027N10NS5 , BSC037N08NS5T , AON6380 , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH , BSZ160N10NS3 , BSZ215CH .
History: 4N65KG-TND-R | BSZ018NE2LSI | BRI740 | BSZ068N06NS | AUIRF7799L2TR | AOY66920 | AUIRF8736M2TR
History: 4N65KG-TND-R | BSZ018NE2LSI | BRI740 | BSZ068N06NS | AUIRF7799L2TR | AOY66920 | AUIRF8736M2TR
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet
