BSC079N03LSCG Todos los transistores

 

BSC079N03LSCG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC079N03LSCG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8
 

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BSC079N03LSCG Datasheet (PDF)

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BSC079N03LSCG

BSC079N03LSC GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Improved switching behaviourPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l

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BSC079N03LSCG

BSC079N03S GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.9mDS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic levelP-TDSON-8P-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resi

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BSC079N03LSCG

BSC079N03S GProduct SummaryOptiMOS2 Power-TransistorFeatures V 30 VDSR 7.9 Fast switching MOSFET for SMPS mDS(on),maxI 40 A Optimized technology for notebook DC/DC convertersD Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

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BSC079N03LSCG

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History: STD7NK40Z-1 | JCS7N65BE | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | SSF2701

 

 
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