IAUC100N04S6L014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IAUC100N04S6L014
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 835 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
Encapsulados: TDSON-8
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IAUC100N04S6L014 datasheet
iauc100n04s6l020.pdf
IAUC100N04S6L020 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.0 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
iauc100n04s6l014.pdf
IAUC100N04S6L014 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.4 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
iauc100n04s6l025.pdf
IAUC100N04S6L025 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.5 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
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