IAUC100N04S6L025 Todos los transistores

 

IAUC100N04S6L025 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUC100N04S6L025
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00256 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8
 

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IAUC100N04S6L025 Datasheet (PDF)

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IAUC100N04S6L025

IAUC100N04S6L020OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 2.0mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 0.2. Size:664K  infineon
 iauc100n04s6l014.pdf pdf_icon

IAUC100N04S6L025

IAUC100N04S6L014OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.4mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 0.3. Size:665K  infineon
 iauc100n04s6l025.pdf pdf_icon

IAUC100N04S6L025

IAUC100N04S6L025OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 2.5mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

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History: WMK08N70C4 | HX4N60 | HSBA8048 | SPB07N60C2

 

 
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