IAUC100N04S6N015 Todos los transistores

 

IAUC100N04S6N015 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IAUC100N04S6N015
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 819 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8
 

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IAUC100N04S6N015 Datasheet (PDF)

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IAUC100N04S6N015

IAUC100N04S6N015OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.5mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 0.2. Size:666K  infineon
 iauc100n04s6n028.pdf pdf_icon

IAUC100N04S6N015

IAUC100N04S6N028OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 2.8mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 0.3. Size:666K  infineon
 iauc100n04s6n022.pdf pdf_icon

IAUC100N04S6N015

IAUC100N04S6N022OptiMOS- 6 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 2.2mWID 100 AFeaturesPG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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History: 2SK3604-01S | AP80SL650AI

 

 
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