IAUC100N04S6N022 Todos los transistores

 

IAUC100N04S6N022 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IAUC100N04S6N022

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 577 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00226 Ohm

Encapsulados: TDSON-8

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IAUC100N04S6N022 datasheet

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IAUC100N04S6N022

IAUC100N04S6N015 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.5 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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IAUC100N04S6N022

IAUC100N04S6N028 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.8 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 0.3. Size:666K  infineon
 iauc100n04s6n022.pdf pdf_icon

IAUC100N04S6N022

IAUC100N04S6N022 OptiMOS - 6 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.2 mW ID 100 A Features PG-TDSON-8 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 1 175 C operating temperature 1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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History: JMSH0804NG | HX3400 | HY3410PS | AOWF12N50 | HU60P03 | SML30B48 | SVF10N65T

 

 

 

 

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