IPC100N04S5-1R9 Todos los transistores

 

IPC100N04S5-1R9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPC100N04S5-1R9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-34
 

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IPC100N04S5-1R9 Datasheet (PDF)

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IPC100N04S5-1R9

IPC100N04S5-1R2OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.2 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

 0.2. Size:423K  infineon
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IPC100N04S5-1R9

IPC100N04S5-1R9OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

 2.1. Size:396K  infineon
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IPC100N04S5-1R9

IPC100N04S5-2R8OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.8 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanc

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History: HUF75329P3 | MDP18N50TH

 

 
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