IPC100N04S5L-1R1 Todos los transistores

 

IPC100N04S5L-1R1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPC100N04S5L-1R1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-34
 

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IPC100N04S5L-1R1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:422K  infineon
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IPC100N04S5L-1R1

IPC100N04S5L-1R1OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.1 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

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 ipc100n04s5l-1r9.pdf pdf_icon

IPC100N04S5L-1R1

IPC100N04S5L-1R9OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

 0.3. Size:457K  infineon
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IPC100N04S5L-1R1

IPC100N04S5L-1R5OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.5 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

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History: APT12F60K | GSM9435WS

 

 
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