IPC100N04S5L-1R5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPC100N04S5L-1R5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 905 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON-8-34
Búsqueda de reemplazo de IPC100N04S5L-1R5 MOSFET
IPC100N04S5L-1R5 Datasheet (PDF)
ipc100n04s5l-1r1.pdf

IPC100N04S5L-1R1OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.1 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan
ipc100n04s5l-1r9.pdf

IPC100N04S5L-1R9OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan
ipc100n04s5l-1r5.pdf

IPC100N04S5L-1R5OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.5 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan
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History: STB22NS25Z | TPCA8052-H | IXTT1N450HV | UPA1951 | IRHYK57133CMSE | SWF7N65M
History: STB22NS25Z | TPCA8052-H | IXTT1N450HV | UPA1951 | IRHYK57133CMSE | SWF7N65M



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