IPC100N04S5L-2R6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPC100N04S5L-2R6
   Código: 5N04L2R6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-33

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPC100N04S5L-2R6

IPC100N04S5L-2R6 Datasheet (PDF)

0.1. Size:396K infineon
ipc100n04s5l-2r6.pdf

IPC100N04S5L-2R6OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 2.6 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanc

1.1. Size:422K infineon
ipc100n04s5l-1r1.pdf

IPC100N04S5L-1R1OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.1 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

1.2. Size:421K infineon
ipc100n04s5l-1r9.pdf

IPC100N04S5L-1R9OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.9 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

1.3. Size:457K infineon
ipc100n04s5l-1r5.pdf

IPC100N04S5L-1R5OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 1.5 mW ID 100 A FeaturesPG-TDSON-8-34 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalan

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Liste

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