STD3N25T4 Todos los transistores

 

STD3N25T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD3N25T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD3N25T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdf pdf_icon

STD3N25T4

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 7.1. Size:172K  st
std3n25.pdf pdf_icon

STD3N25T4

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 9.1. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdf pdf_icon

STD3N25T4

 9.2. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdf pdf_icon

STD3N25T4

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

Otros transistores... STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , MDF11N65B , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
Back to Top

 


 
.