2N6760JTX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6760JTX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Encapsulados: TO204
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2N6760JTX datasheet
2n6760 irf330.pdf
PD - 90335F IRF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6760 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF330 400V 1.00 5.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces
Otros transistores... 2N6758JANTXV , 2N6758JTX , 2N6758JTXV , 2N6759 , 2N6760 , 2N6760JAN , 2N6760JANTX , 2N6760JANTXV , NCEP15T14 , 2N6760JTXV , 2N6761 , 2N6762 , 2N6762JAN , 2N6762JANTX , 2N6762JANTXV , 2N6762JTX , 2N6762JTXV .
History: PHP119NQ06T | AOTS32338C
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