2N6760JTX Todos los transistores

 

2N6760JTX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6760JTX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N6760JTX Datasheet (PDF)

 8.1. Size:146K  international rectifier
 2n6760 irf330.pdf pdf_icon

2N6760JTX

PD - 90335FIRF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6760THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF330 400V 1.00 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 8.2. Size:138K  fairchild semi
 2n6759 2n6760.pdf pdf_icon

2N6760JTX

 9.1. Size:142K  1
 2n6766.pdf pdf_icon

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 9.2. Size:140K  1
 2n6768.pdf pdf_icon

2N6760JTX

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History: 2N6764JTX

 

 
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