IPG20N04S4L-18A Todos los transistores

 

IPG20N04S4L-18A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPG20N04S4L-18A
   Código: 4N04L18
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 0.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-10
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPG20N04S4L-18A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:514K  infineon
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IPG20N04S4L-18A

IPG20N04S4L-18AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS40 VRDS(on),max4)18mWID 2)20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested8 7 6 5 Automatic optical inspection (AOI) c

 1.1. Size:156K  infineon
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IPG20N04S4L-18A

IPG20N04S4L-11OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)11.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4L-11 PG-TDSON-8-4

 2.1. Size:157K  infineon
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IPG20N04S4L-18A

IPG20N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)8.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4L-08 PG-TDSON-8-4

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IPG20N04S4L-18A

IPG20N04S4L-07AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max4) 7.2mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Typ

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BRCS18N20DP

 

 
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