STD3NA50-1 Todos los transistores

 

STD3NA50-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD3NA50-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD3NA50-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdf pdf_icon

STD3NA50-1

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

 6.1. Size:172K  st
std3na50.pdf pdf_icon

STD3NA50-1

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdf pdf_icon

STD3NA50-1

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 9.2. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdf pdf_icon

STD3NA50-1

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History: IRFY130M | AO4914 | SIR496DP | KML0D4N20V | BFC23 | TK4P50D | IRFR9220

 

 
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