STD5N20-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD5N20-1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de STD5N20-1 MOSFET
STD5N20-1 datasheet
std5n20lt4.pdf
STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V ... See More ⇒
std5n20l.pdf
STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V ... See More ⇒
std5n20.pdf
STD5N20 N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5N20 200 V ... See More ⇒
Otros transistores... STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , IRF1404 , STD5N20T4 , STD6N10-1 , STD6N10T4 , STD8N06-1 , STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800 | AP6242 | AP60P20K | AP60N04Q | AP6009S | AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q
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