STD5N20-1 Todos los transistores

 

STD5N20-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD5N20-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 20 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

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STD5N20-1 Datasheet (PDF)

3.1. std5n20l.pdf Size:283K _st

STD5N20-1
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STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65Ω - 5A DPAK STripFET™ MOSFET Table 1: General Features Figure 1: Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V < 0.7 Ω 5 A 33 W TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω @ 5V CONDUCTION LOSSES REDUCED LOW INPUT CAPACIATNCE LOW THRESHOLD DEVICE 3 1 DESCRIPTION The STD5N20L utilizes the latest advanced de- sign rules of ST’s proprietary STripFET™ techno

3.2. std5n20lt4.pdf Size:268K _st

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STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65Ω - 5A DPAK STripFET™ MOSFET Table 1: General Features Figure 1: Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V < 0.7 Ω 5 A 33 W TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω @ 5V CONDUCTION LOSSES REDUCED LOW INPUT CAPACIATNCE LOW THRESHOLD DEVICE 3 1 DESCRIPTION The STD5N20L utilizes the latest advanced de- sign rules of ST’s proprietary STripFET™ techno

 3.3. std5n20.pdf Size:254K _st

STD5N20-1
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STD5N20 N-CHANNEL 200V - 0.6Ω - 5A DPAK MESH OVERLAY™ MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5N20 200 V < 0.8 Ω 5 A TYPICAL RDS(on) = 0.6 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED 3 ADD SUFFIX “T4” FOR OREDERING IN TAPE & 1 REEL DPAK TO-252 DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an ad- INTERNAL S

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