IPT029N08N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPT029N08N5
Código: 029N08N5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 169 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOF-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPT029N08N5
IPT029N08N5 Datasheet (PDF)
ipt029n08n5.pdf
IPT029N08N5MOSFETHSOFOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 2345 100% avalanche tested678 Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application
ipt020n10n3.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM3 Power-Transistor, 100 VIPT020N10N3Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM3 Power-Transistor, 100 VIPT020N10N3HSOF1 DescriptionFeaturesTab N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Extremely low on-resistance RDS(on)1
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IPT026N10N5MOSFETHSOFOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 2345 100% avalanche tested678 Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product val
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Liste
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