IPT65R033G7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPT65R033G7
   Código: 65R033G7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 391 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-8

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IPT65R033G7 Datasheet (PDF)

..1. Size:975K infineon
ipt65r033g7.pdf

IPT65R033G7MOSFETHSOF650V CoolMOS C7 Gold series (G7) Power TransistorThe C7 GOLD series (G7) for the first time brings together the benefits ofthe C7 GOLD CoolMOS technology, 4 pin Kelvin Source capability andTabthe improved thermal properties of the TOLL package to enable a possible SMD solution for high current topologies such as PFC up to 3kW123Features456

8.1. Size:1196K infineon
ipt65r105g7.pdf

IPT65R105G7MOSFETHSOF650V CoolMOS C7 Gold series (G7) Power TransistorThe C7 GOLD series (G7) for the first time brings together the benefits ofthe C7 GOLD CoolMOS technology, 4 pin Kelvin Source capability andTabthe improved thermal properties of the TOLL package to enable a possible SMD solution for high current topologies such as PFC up to 3kW123Features456

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ipt65r195g7.pdf

IPT65R195G7MOSFETHSOF650V CoolMOS C7 Gold series (G7) Power TransistorThe C7 GOLD series (G7) for the first time brings together the benefits ofthe C7 GOLD CoolMOS technology, 4 pin Kelvin Source capability andTabthe improved thermal properties of the TOLL package to enable a possible SMD solution for high current topologies such as PFC up to 3kW123Features456

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History: IPP60R280P6 | IXTP180N055T

Liste

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