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IPU95R750P7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPU95R750P7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IPU95R750P7 datasheet

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IPU95R750P7

IPU95R750P7 MOSFET IPAK 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(o

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IPU95R750P7

IPU95R450P7 MOSFET IPAK 950V CoolMOS P7 SJ Power Device The latest 950V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 950V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(o

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