IPZ40N04S5-3R1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPZ40N04S5-3R1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8-33

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPZ40N04S5-3R1

IPZ40N04S5-3R1 Datasheet (PDF)

..1. Size:311K infineon
ipz40n04s5-3r1.pdf

IPZ40N04S5-3R1OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.1mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

3.1. Size:323K infineon
ipz40n04s5-8r4.pdf

IPZ40N04S5-8R4OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 8.4mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-32 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

3.2. Size:317K infineon
ipz40n04s5-5r4.pdf

IPZ40N04S5-5R4OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 5.4mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-32 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

4.1. Size:325K infineon
ipz40n04s5l-7r4.pdf

IPZ40N04S5L-7R4OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 7.4mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-32 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

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Liste

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