IRF6898MTRPBF Todos los transistores

 

IRF6898MTRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6898MTRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 214 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6898MTRPBF datasheet

 ..1. Size:502K  infineon
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IRF6898MTRPBF

IRF6898MPbF IRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (

 6.1. Size:243K  international rectifier
 irf6898mpbf.pdf pdf_icon

IRF6898MTRPBF

IRF6898MPbF IRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode l Low Profile (

 8.1. Size:248K  international rectifier
 irf6894mpbf.pdf pdf_icon

IRF6898MTRPBF

PD - 97633A IRF6894MPbF IRF6894MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:215K  international rectifier
 irf6893m.pdf pdf_icon

IRF6898MTRPBF

PD - 97761 IRF6893MPbF IRF6893MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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