JST2301H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JST2301H  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOT23

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JST2301H datasheet

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JST2301H

JST2301H -20V,-3A P-Channel Mosfet FEATURES SOT-23 RDS(ON) 110m @VGS=-4.5V RDS(ON) 140m @VGS=-2.5V APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING P-CHANNEL MOSFET Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage V 12 GS I -3 D Continuous Drain Current A Pulse

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JST2301H

JST2300 20V,5A N-Channel Mosfet PACKAGE FEATURES RDS(ON) 25m @VGS=4.5V RDS(ON) 38m @VGS=2.5V APPLICATIONS PWM Applications Load Switch Power Management MARKING N-CHANNEL MOSFET Absolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V 20 V DS Gate-Source Voltage V 12 V GS Continuous Drain Current I 5 A D Pl

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JST2301H

JST2302H 20V,3A N-Channel Mosfet FEATURES SOT-23 RDS(ON) 46m @VGS=4.5V RDS(ON) 70m @VGS=2.5V APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING N-CHANNEL MOSFET Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage V 10 GS I 3 D Continuous Drain Current A Pulsed Drain

Otros transistores... JMTL2302A, JMTL3401A, JMTL3415K, G1L9N06, JST100N30T2, JST150N30T2, JST180N30D5, JST2300, IRF9540, JST2302H, JST3400, JST3401, JST3415C, JST4406, JST4435, JST60N30T2, JST80N30T2A