JST3400 Todos los transistores

 

JST3400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JST3400

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: SOT23

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JST3400 datasheet

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JST3400

JST3400 30V,5.8A N-Channel Mosfet FEATURES SOT-23 RDS(ON) 33m @VGS=10V RDS(ON) 39m @VGS=4.5V RDS(ON) 60m @VGS=2.5V APPLICATIONS Load/Power Switching Interfacing Switching MARKING N-CHANNEL MOSFET Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage V 12 GS I 5.8 D Continuous Drain

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JST3400

JST3401 -30V,-4.2A P-Channel Mosfet FEATURES SOT-23 RDS(ON) 63m @VGS=-10V RDS(ON) 67m @VGS=-4.5V RDS(ON) 85m @VGS=-2.5V APPLICATIONS Load/Power Switching Interfacing Switching P-CHANNEL MOSFET MARKING Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage V 12 GS I -4.2 D Continuou

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JST3400

JST3415C -20V,-5A P-Channel Mosfet FEATURES SOT-23 RDS(ON) 32m @VGS=-4.5V RDS(ON) 51m @VGS=-2.5V ESD Rating HBM 2.0KV APPLICATIONS PWM Applications Load Switch Power Management MARKING P-CHANNEL MOSFET Maximum ratings (TC=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage V 12 GS I -5 D Continuous Drai

Otros transistores... JMTL3415K , G1L9N06 , JST100N30T2 , JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , 2SK3878 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , JST60N30T2 , JST80N30T2A , JST8205S , 8205S .

History: JSM2301S

 

 

 


 
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