JST3400 Todos los transistores

 

JST3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JST3400
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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JST3400 Datasheet (PDF)

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JST3400

JST340030V,5.8AN-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 33m @VGS=10VRDS(ON) 39m @VGS=4.5VRDS(ON) 60m @VGS=2.5VAPPLICATIONSLoad/Power SwitchingInterfacing SwitchingMARKING N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage V 12GSI 5.8DContinuous Drain

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JST3400

JST3401-30V,-4.2AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 63m @VGS=-10VRDS(ON) 67m @VGS=-4.5VRDS(ON) 85m @VGS=-2.5VAPPLICATIONSLoad/Power SwitchingInterfacing SwitchingP-CHANNEL MOSFETMARKINGMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -30VGate-Source Voltage V 12GSI -4.2DContinuou

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JST3400

JST3415C-20V,-5AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON)32m @VGS=-4.5V RDS(ON) 51m @VGS=-2.5VESD Rating: HBM 2.0KVAPPLICATIONSPWM ApplicationsLoad SwitchPower ManagementMARKING P-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (TC=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage V 12GSI -5DContinuous Drai

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