JST3401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JST3401
Código: R1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JST3401
JST3401 Datasheet (PDF)
jst3401.pdf
JST3401-30V,-4.2AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 63m @VGS=-10VRDS(ON) 67m @VGS=-4.5VRDS(ON) 85m @VGS=-2.5VAPPLICATIONSLoad/Power SwitchingInterfacing SwitchingP-CHANNEL MOSFETMARKINGMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -30VGate-Source Voltage V 12GSI -4.2DContinuou
jst3400.pdf
JST340030V,5.8AN-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 33m @VGS=10VRDS(ON) 39m @VGS=4.5VRDS(ON) 60m @VGS=2.5VAPPLICATIONSLoad/Power SwitchingInterfacing SwitchingMARKING N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage V 12GSI 5.8DContinuous Drain
jst3415c.pdf
JST3415C-20V,-5AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON)32m @VGS=-4.5V RDS(ON) 51m @VGS=-2.5VESD Rating: HBM 2.0KVAPPLICATIONSPWM ApplicationsLoad SwitchPower ManagementMARKING P-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (TC=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage V 12GSI -5DContinuous Drai
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Liste
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