JST3415C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JST3415C
Código: R15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JST3415C
JST3415C Datasheet (PDF)
jst3415c.pdf
JST3415C-20V,-5AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON)32m @VGS=-4.5V RDS(ON) 51m @VGS=-2.5VESD Rating: HBM 2.0KVAPPLICATIONSPWM ApplicationsLoad SwitchPower ManagementMARKING P-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (TC=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage V 12GSI -5DContinuous Drai
jst3401.pdf
JST3401-30V,-4.2AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 63m @VGS=-10VRDS(ON) 67m @VGS=-4.5VRDS(ON) 85m @VGS=-2.5VAPPLICATIONSLoad/Power SwitchingInterfacing SwitchingP-CHANNEL MOSFETMARKINGMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -30VGate-Source Voltage V 12GSI -4.2DContinuou
jst3400.pdf
JST340030V,5.8AN-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 33m @VGS=10VRDS(ON) 39m @VGS=4.5VRDS(ON) 60m @VGS=2.5VAPPLICATIONSLoad/Power SwitchingInterfacing SwitchingMARKING N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage V 12GSI 5.8DContinuous Drain
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