JST4406 Todos los transistores

 

JST4406 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JST4406

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de JST4406 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JST4406 datasheet

 ..1. Size:860K  jestek
 jst4406.pdf pdf_icon

JST4406

JST4406 30V N-Channel Mosfet SOP-8 FEATURES RDS(ON) 12m @VGS=10V RDS(ON) 15m @VGS=4.5V APPLICATIONS UPS DC-DC Power Converter MARKING N-CHANNEL MOSFET Maximum ratings (TC=25 unless otherwise noted) Symbol Param Max. Units bol V Drain-Source Voltage 30 V DSS V Gate-Source Voltage 20 V GSS T = 25 13 C I Continuous Drain Current A D T = 100 8 C

 9.1. Size:5646K  jestek
 jst4435.pdf pdf_icon

JST4406

JST4435 -30V P-Channel Mosfet SOP-8 FEATURES RDS(ON) 23m @VGS=-10V RDS(ON) 34m @VGS=-4.5V APPLICATIONS Load Switch Power Management MARKING P-CHANNEL MOSFET YYMM Date Code(year&month) Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) C Symbol Param Max. Units bol V Drain-Source Voltage -30 V DSS V Gate-Source Voltage 20 V GSS T = 25 -10 A C I

Otros transistores... JST150N30T2 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , IRF9540N , JST4435 , JST60N30T2 , JST80N30T2A , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.