ME10N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME10N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.345 Ohm
Encapsulados: TO252
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ME10N15 datasheet
me10n15 me10n15-g.pdf
ME10N15/ME10N15-G N-Channel 150-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 345m @VGS=10V The ME10N15 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 365m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to
Otros transistores... KI2301 , K2N7002K , SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , TK10A60D , ME10N15-G , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 .
History: IPD85P04P4L-06
History: IPD85P04P4L-06
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