IRF7749L1TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7749L1TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 345 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 183 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 149 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1627 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7749L1TRPBF

IRF7749L1TRPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1111K infineon
irf7749l1trpbf.pdf

IRF7749L1TRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET IR MOSFET-DirectFET V 60V DSS IRF7749L1TRPbFR typ. DS(on) 1.1m @ V 10VGS = R max Quality Requirement Category: Industrial DS(on) 1.5m @ V = 10V GSID (Silicon Limited) 345A ID (Package Limited) 375A Applications RoHS Compliant, Halogen Free Lead-Free (Qualified up to 260

5.1. Size:270K international rectifier
irf7749l1.pdf

IRF7749L1TRPbFApplicationsDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow) VDSS VGS RDS(on) l Ideal for High Performance Isolated Converter60V min 20V max 1.1m@ 10V Primary Switch Socketl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Conduction Loss

6.1. Size:311K international rectifier
irf7749l2tr1pbf irf7749l2trpbf.pdf

PD - 97434IRF7749L2TRPbFIRF7749L2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow) Typical values (unless otherwise specified)l Ideal for High Performance Isolated ConverterVDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket60V min 20V max 1.1m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Condu

6.2. Size:502K infineon
auirf7749l2tr.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7749L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 60V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.1m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 1.5m High Power Density ID (Silicon Limited) 345A Low Parasitic Parame

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: