IRFH4251DPBF Todos los transistores

 

IRFH4251DPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH4251DPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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IRFH4251DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  international rectifier
 irfh4251dpbf.pdf pdf_icon

IRFH4251DPBF

FastIRFET IRFH4251DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.10 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 44 nC ID 45 45 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 5.1. Size:561K  international rectifier
 irfh4251d.pdf pdf_icon

IRFH4251DPBF

FastIRFET IRFH4251DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.10 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 44 nC ID 45 45 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.1. Size:588K  international rectifier
 irfh4253dpbf.pdf pdf_icon

IRFH4251DPBF

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.2. Size:588K  international rectifier
 irfh4253d.pdf pdf_icon

IRFH4251DPBF

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

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History: WMM10N60C4 | IRF7483MTRPBF | KIA65R420

 

 
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