STE26NA90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE26NA90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 VQgⓘ - Carga de la puerta: 470 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STE26NA90
STE26NA90 Datasheet (PDF)
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STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V
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STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V
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STE26N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE26N50 500 V
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