IRFH6200TRPBF Todos los transistores

 

IRFH6200TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH6200TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2890 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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IRFH6200TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  1
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99m(@VGS = 4.5V)(@VGS = 2.5V) 1.50Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap SwitchFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m) Lower Conduction LossesLow The

 ..2. Size:264K  international rectifier
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99m(@VGS = 4.5V)(@VGS = 2.5V) 1.50Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap SwitchFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m) Lower Conduction LossesLow The

 6.1. Size:215K  international rectifier
 irfh6200pbf.pdf pdf_icon

IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm(@Tmb = 25C)ApplicationsCharge and discharge switch for battery applicationLoad switch for 12V (typical) busFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m Lower Conduction LossesLow Thermal

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