IRFH6200TRPBF Todos los transistores

 

IRFH6200TRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH6200TRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2890 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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IRFH6200TRPBF datasheet

 ..1. Size:264K  1
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) (@VGS = 2.5V) 1.50 Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap Switch Features Benefits Low RDSon ( 0.99m ) Lower Conduction Losses Low The

 ..2. Size:264K  international rectifier
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) (@VGS = 2.5V) 1.50 Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap Switch Features Benefits Low RDSon ( 0.99m ) Lower Conduction Losses Low The

 6.1. Size:215K  international rectifier
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 0.99 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 155 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 0.99m Lower Conduction Losses Low Thermal

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