IRFH6200TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFH6200TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 74 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2890 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:264K 1
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IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99m(@VGS = 4.5V)(@VGS = 2.5V) 1.50Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap SwitchFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m) Lower Conduction LossesLow The

..2. Size:264K infineon
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IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm(@Tmb = 25C)ApplicationsCharge and discharge switch for battery applicationLoad switch for 12V (typical) busFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m Lower Conduction LossesLow Thermal

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Liste

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